感悟生命l5o字

时间：2021-11-01 14:22:08 300字

【第一篇】感悟生命l5o字

我的收获我的收获作文400字【第一一遍又一遍，以不同的方式读一本书，常读常新，百读不厌，把书读透。在这几个月里，我养成了每星期写日记的良好习惯，现在已经写了38我的收获　　这钟点工可不好当呀！洗碗、扫地、擦桌子、整理杂务……哪一样我没有做过？洗碗要洗得干净，还不能太慢，也不能太浪费水。这什么规定嘛！还有扫地，要扫得很干净，不能扬起灰尘……哎呀，这不是折腾人嘛！没办法，合同上白纸黑字写在那儿呢！想赖也赖不掉，只能忍气吞声，真把我憋死了。　　　做了好几天之后，我实在憋不住了，心想：天天这么干着，像我这么烈性子的人是绝对再也忍不住的。我思前想后，决定罢工！什么钱不钱的，现在是命最重要，要是我哪天吃不消了，一命呜呼了那还成？罢工！可谁知老爸老妈却不吃我这套，张口就一句话：“爱做不做，不做就没饭吃！”啊？！！跟我来硬的？天啊！不公平！可再怎么抱怨，还是得做，也就一句话：“不吃饭，你能活多久？” 　　 “什么！你说要扣我三天的‘饷银’？”“对，你昨儿没洗碗，今天又干得不塌实，还没扣你三个星期的劳务费就不错了！”听见没？扣我三天的工资整整15元呢。我的心像被火烤一样，快要炸了！昨天没洗碗，因为我去了孙佳慧家，帮他辅导作业了。可你猜我妈说什么？“没请假！”我晕！　　　有苦必有甜。这不，一个暑假下来，我终于脱离了苦海。不仅拿到了我应有的工资，还去吃了一顿肯德基大餐，得到了新衣服。我妈说了，能坚持这么长时间，不容易呀！更何况一个小孩子呢！嘿嘿，我终于苦尽甘来了！　经暑假这么一折腾，我也确实比以前有耐性了，也体验到了父母的艰难，收获真不少！【第三有洛阳桥、安平桥、玉澜桥、苏埭桥、普利大通桥，还有东洋桥、石笋桥、海岸长桥、顺济桥、乌屿桥。　来到第四个展厅——泉南雄风，更多的是许多伟人的生平。如：施琅、李光地、吴鲁、郑和……而且，我还知道了施琅将军被清朝皇帝封为“靖海侯”；李光地是清朝最后一个状元与宰相；吴鲁是泉州的最后一个状元；郑和是七次下西洋的伟人…… 　随着时间的推移，我们这次活动也接近了尾声。今天的游览确实让我大开眼界，原来，泉州是这么一个古老文明的城市呀！顿时，我好想快快长大，去探索世界的奥秘。　【第四厨房里响起啪啪的声音。　　　我很想学做牛肉酱，于是不断的向妈妈请求，妈妈终于同意了。第一步炒花生，我把花生到入锅中，然后我拿起大木勺，我左一勺右一勺，忙个不停。因为妈妈说：“炒花生一定要不停的翻炒，要不然花生就烤焦了”。我铲着铲着一不小心把花生铲出去了，像断了线的珠子，满地滚。花生炒熟了，我尝了一颗，还真不错。　　　第二步，妈妈拿起油桶朝锅里倒了半锅的油，把已经做成小丁丁的牛肉放入油锅里，“噼噼噼”地炸起了麻子，像放鞭炮一样，把我吓得直往后退，再加上地上的花生，我栽了个大跟头。我听从妈妈的口令将半袋干辣子皮放入锅中，然后妈妈让我使劲地铲，我想小菜一碟，不值一提，可谁知我用上了九牛二虎之力，都没铲上一勺，但是在妈妈的帮助下，我还是把牛肉翻了个脚朝天。最后一步了，把花生也倒入锅中，用小勺炒，让它们混合在一起，放适当的调料。好了，牛肉酱做成了。　　　我们一家尝过后，都说：“涛涛长大了”，我心里美滋滋的。但是，我觉得这还是牛肉的香，花生的味，辣子的辣混合的香味；我只是费点力气而已。　　　我和妈妈的牛肉酱真是香的不能再香了，不访你也尝尝。【第六“以后，我们要在一起学习成长，学习知识，填补出快乐的童年！”现在回想，这不也是一句暗藏语文知识的句子了吗？　　　从此之后，我生活的角落中处处都是语文的影子。我读字，都词，都句子；开始认字，认词，认句子；写字，写词，写句子。我逐渐懂得了怎样去了解字词句；话怎样从嘴里优美地跃出；怎样灵活的掌控这些宝贵的知识。我与大作家巴金，老舍，托尔斯泰，巴尔扎克一起前行；从科学奇事中一起探秘；我们与百科全书一起重新认知生活。写作文也从以前稚嫩的手法衬托出的天真，到现在语句得精炼衬托出的成熟。　　　运用知识后才觉得语文的好处、带给我们的快乐、收获真的很多很多！　　　六年来，我们学过的语文知识真的很多，但是我们还没学，要学的更多更多！是语文的发展才让我们人类之间有了沟通交流；才让我们发明创造出更多的成绩；才让我们有了现在这个科技发达的时代！　　　我喜欢语文，并衷心祝福我喜爱的语文！【第七“既然你们想不出画什么，就回家再想想，利用星期六日的时间把图构好，星期一来再涂色。”　　我回家想了又想，找了又找，最终才在英语书上找到一个可爱人物。我把这个可爱人物一笔一笔的画上去，但又觉得周围很空虚，就又增加了一些花草树木。画完后，我把画看了一遍，觉得不够好，但又因为时间的关系，只好将就着了。　　到了学校，已经快上课了，而且第一节就是美术课。我把画放在桌上，等待这老师来上课。老师一到教室就坐在椅子上说：“大家开始涂颜色，等会儿一下课就收上来。”　　“铃铃铃”比赛结束了。　　第二天，陈老师把我叫到办公室说：“你这次画画画得不错，就连小领导也说你画的好呢？你的画得了优加，拿回去做纪念吧！”我欣喜若狂，把画拿了就跑。　　就是在这一次，我收获了成功的喜悦。【第八“真是五岳归来不看山，黄山归来不看岳呀！”　　那时我还小，根本听不懂妈妈在讲什么，什么是五岳，什么是山呀！　　我的目光突然就被悬在崖边的怪石吸引住了。只见它与其它的山石毫不相连，孤孤单单的悬在那儿，就像是谁从什么地方把它搬到这儿来似的，摇摇欲坠。我真担心它会被一阵风吹到山沟里去。　　听导游小姐说，它在这里已经不知道有多少年了，传说，是从远方飞来的一块神石。因此，人们称它为“飞来石”。　　“泰山雄，华山险，庐山秀，黄山奇”。真不愧为是一个字：奇！　　你们应该知道这座山的名字了吧？——黄山。　　在一天天的成长中，我便不停地变化，我在收获，花开花落，悄无声息。成长的故事很多很多，有欢乐也有悲伤；成长的岁月很长很长，需要抓住今天的每一秒，把希望系于明天彩云，成长就是希望编织的彩带，串连起回忆和向往。

【第二篇】感悟生命l5o字

Eu掺杂的Y3Al5O12(YAG)纳米粉的低温合成及荧光性质

Eu掺杂的Y3Al5O12(YAG)纳米粉的低温合成及荧光性质

[摘要] 本文以复分解/熔融盐和共沉淀/熔融盐两种方法在350℃条件下制备了Y3Al5O12(YAG)

3+纳米粉和YAG：Eu。使用XRD、TEM、Raman、IR、荧光等方法进行表征，显示出两种方法制

得的微晶大小分别为23-31nm和51nm；Raman和IR显示500℃制备的结晶度好；荧光发射光

3+谱显示强高敏感度的5D0→7F2跃迁和磁偶极5D0→7F1跃迁较强。制得的YAG：Eu的发射性能

与大块YAG有显著不同。复分解/熔融盐法属于室温下机械力诱发的固体间化学反应，适用于制备稀土掺杂的YAG，具有工艺简单，成本低廉的特点，适用于大规模工业化生产。

[关键词] 低温固相反应；机械化学反应；助熔剂；稀土发光材料；

1. 序言

1.1低温固相反应法

低温固相反应法是近年来发展起来的一种合成材料的新手段。与高温固相反应法（反应温度要在 600℃以上）相比，低温固相法更适合合成低温条件下稳定的介稳态化合物以及动力学控制的化合物，高温固相反应法只能合成热力学稳定的化合物。

1.2机械力诱导的低温固相反应原理

低温固相反应法的基本原理为：形成冷溶熔层—原子扩散—合成反应—形核—长大。具体是以下三步：

(1)反应物颗粒在机械研磨作用下混合均匀，由于颗粒自身带有结晶水，因此在反应初期阶段可以在外表面上形成一层薄薄的冷溶熔层；

(2)反应物原子通过在表面冷溶熔层扩散发生化学反应，生成目标产物。一般来说，表面冷溶熔层可以看做一个微反应区，原子在微反应区内扩散并发生化学反应，生成目标产物；

(3)反应过程中继续研磨，这样颗粒表面的冷溶熔层就会在外力的作用下不断脱落，颗粒表面又可以形成新的冷溶熔层；相应的，已合成的产物形核与长大过程也随之进行，并最终合成出所需物相。

在最初反应时期，颗粒之间存在着固相界面，该界面对反应物的原子扩散有阻碍作用，外部条件(如机械研磨、提高反应温度)改变时固相接触面形成冷溶熔层；在冷溶熔层中，扩散阻力减小，参加反应的原子增多，反应速度加快；与此同时，一定量的原反应物中的结晶水以极高的速度被释放，有利于更多的微量溶剂进入反应区，形成新的冷溶熔层。由此可见，随着这两个过程的交互进行，原子或粒子将会不断地在固相晶格中进行扩散。最终，获得的产物经历形核、长大阶段后，形成我们需要的产物相。

2.具体应用（文献翻译）

M. Maczka, A. Bednarkiewicz, E. Mendoza-Mendoza , A. F. Fuentes, L. Kepinski,

Low-temperature synthesis, phonon and luminescence properties of Eu doped Y3Al5O12 (YAG) nanopowders, Materials Chemistry and Physics, 2014, 143, 1039-1047.

2.1介绍

钇铝石榴石Y3Al5O12(YAG)是一类具有良好的透明度、化学稳定性、机械强度

和导热性的材料；无论作为功能材料，还是作为结构材料均显示出广泛的应用前景。已经成为目前用量最多最成熟的激光基质材料。举例来说，Ce活化的YAG可把蓝光转换为宽频的黄光，用于白光发光二极管；此外，Yb活化的YAG对二极管泵浦的固体激光器(DPSSL)有重大意义；Eu与Tb掺杂活化的YAG可制造绿光、红光荧光粉，用于等离子显示板。YAG以单晶或多晶形式应用；YAG陶瓷也是人们感兴趣的发展方向。

大规模生产的稀土掺杂的YAG荧光粉一般由高于1600℃的高温固相反应制备，以此消除Y4Al2O9、YAlO3等中间相。用高温固相反应制成的YAG粉末颗粒较大，粒径分布广，形态学不规则。为了在相对低的温度下得到具有足够发光强度和透明度的YAG陶瓷材料，需要粒径分布可控的、具有更好烧结性能的YAG颗粒。

如上所述，人们对制备粒径分布窄的YAG纳米颗粒的技术有很大兴趣。在800℃-1200℃下制备YAG粉体的方法有很多：溶胶-凝胶法、共沉淀法、自蔓延燃烧反应。但是这些方法都有不适合大规模生产，消耗的时间较长，或者用到了高价或有毒的试剂与溶剂。

本文使用改进的熔融盐复分解法在相对的低温下制备了纯YAG粉体和Eu+掺杂的YAG纳米粉。在此过程中，机械诱导的复分解反应生成无定型前体，在熔融的金属硝酸/亚硝酸碱性环境下进行晶体化。作为对比，用酒精溶液中的共沉淀反应制备了上述物质，还研究了随晶体大小变化晶体性质的改变。

2.2 实验部分

以两种不同的方法制备了纯YAG粉体和Eu+掺杂的YAG纳米粉。

2.2.1 共沉淀/熔融盐合成法

Y(NO3)3·4H2O 和 Al(NO3)3·9H2O（3:5）溶于水，加入5M的NH3调节pH值至8，分离，洗涤，干燥。与NaNO3和NaNO2（3:1）混合，分别在350℃和500℃加热3h。

2.2.2 复分解/熔融盐合成法

按化学计量比将Y(NO3)3·4H2O 、 Al(NO3)3·9H2O、NaOH、NaNO3、Eu(NO3)3·6H2O混合，在Y2O3强化的ZrO2容器中进行研磨。反应式为：

5[Al(NO3)3·9H2O] +3[Y(NO3)3·4H2O] +24NaOH →

Y3Al5O12+24NaNO3+69H2O

Eu(NO3)3·6H2O的质量分数为1% ，0.5%，0.33%， 0.16%。使用Restch PM400球磨机，以直径为20mm的Y2O3强化的ZrO2球为研磨介质，球料比10:1，转速350rpm，研磨30min。

对两种方法制备的前体做以下处理：在120℃下干燥1h，以减少水分和熔融过程中剧烈的水分蒸发。将产物转移到氧化铝坩埚，分别在350℃和300℃加热3h，在炉内自然冷却至室温。在蒸馏水中剧烈搅拌，离心洗涤多次，以除去NaNO3和NaNO2，直到傅里叶变换红外光谱仪测得无-NO3-和NO2-为止。

2.3 结果与讨论

2.3.1 XRD感悟生命l5o字

2.3.1.1 步骤1

Fig.1是从硝酸钠/亚硝酸钠溶液中沉淀的钇和铝的氢氧化物的混合物在350℃和500℃烧结之后所得前驱体的X射线衍射图谱。硝酸钠（JCPDS-ICCD号卡36-11474）和亚硝酸钠（JCPDS-ICDD号卡87-1121）的布拉格反射也列在图的顶部和底部。 Fig.1a中YAG（JCPDS-ICDD号33-0040卡）的那些特征峰标示于Fig.1b

的底部。多年来，人们在共沉淀法中使用不同的钇源、铝源，以及沉淀剂制备纯的或掺杂的YAG粉体，共沉淀法可能是获得这种材料最流行的路线来之一；氯化盐、硫酸盐或硝酸盐经常用作钇和铝源，而氨或氢氧化钠溶液和碳酸氢铵是常见沉淀剂。然而，需要确保产品的纯度，并防止形成退火步骤难以除去的顽固杂质如YAlO3和Y4Al2O9，应仔细控制不同的实验参数，例如pH值。700℃时YAG晶体粉末的样品仍保持完全无定形状态，所以需要1000℃以上的灼烧温度。但是这项工作显示，在350℃灼烧的条件下，YAG的结晶已经开始出现，如Fig.1所示18.09︒（米勒指数=211;相对强度=27％），27.79︒（123，19％）和33.35︒（024，100％）；反应温度500℃时这些反射的强度显著上升。除去额外的反射，属于硝酸钠/亚硝酸盐的峰在Fig.1a中。总之，反应温度较高的纯的YAG粉末结晶程度更

高。

2.3.1.2 步骤2

Fig.2a和Fig.2b示出了在实验过程中的不同阶段，即研磨后收集，500℃灼烧后和除去先前所述水溶性杂质的XRD图谱。除去水溶性硝酸钠/亚硝酸钠助熔剂后，在X射线衍射图谱只包含NaNO3峰。另外，本节表明，两种方法制备的YAG和YAG：Eu3+可以在非常低的350℃和500℃下得到。

如Fig.1-3，所合成的样品的衍射峰宽度显示出非常小的颗粒尺寸。颗粒大小

可以从Scherrer式求出。以复分解/熔盐法在350℃灼烧的产物YAG，YAG：0.16％Eu3+，YAG：0.33％Eu3+，YAG：0.5％Eu3+和YAG：1％Eu3+样品的粒径为26.9，26.8，28.2，26.0和22.9nm。500℃灼烧的产物对于YAG，YAG：0.33％Eu3+和YAG：0.1％Eu3+平均微晶尺寸分别为26.9，30.8和27.4nm。这些结果表明，在任何两种方法的微晶尺寸几乎不受Eu3+掺杂或提高反应温度（350℃〜500℃）的影响。

2.3.2 TEM

Fig.4是所合成的YAG和YAG：1％Eu3+的TEM照片。通过复分解/熔盐法在350℃合成的产品是由具有各种尺寸的球状颗粒（50nm-180nm）。单一YAG粒子的高分辨透射电子显微镜（HRTEM）图像中显示出清晰的晶格条纹，证实了所制备的YAG粒子的结晶性。以X射线衍射图样计算出的该样品的平均晶粒尺寸小（26.9nm）比通过TEM观察到的粒子的大小（50-180nm）小。Fig.4b的晶格条纹间距图中的晶面为（024）和立方YAG的（112）面。该结果表明350℃有一定的无定形性质。当合成温度升高到500 C，球面状粒子直径稍微增加至约70-200nm，非晶相不再观察到（参见Fig.4c）。 HRTEM图像显示非常清楚的晶格条纹（参见Fig.4d），这一观察显示出YAG粒子的高度结晶性质。

2.3.3 Raman

YAG和YAG：Eu3+样品（350℃，复分解/熔盐法）的激光拉曼光谱显示出典型的YAG带。然而，在相同温度下沉淀/熔盐法得到的样品的相应频带更广更显著。该结果表明通过复分解/熔盐法制得样品的粒径越小，结晶度小。有趣的是，除了典型的YAG相的频带，这些样品还有其他一些频带出现。对于未掺杂的YAG和YAG：0.16％Eu3+样品的附加弱带出现在355cm-1，在含0.5和1％Eu3+的样品中该频带变强。在含0.5和1％Eu3+的样品中676cm-1处有弱峰。另一个YAG：1％Eu3+样品的拉曼频带出现在378cm-1。此外，YAG：0.5％Eu3+样本825cm-1有清晰的谱带出现。值得注意的是，我们的TEM照片显示YAG：1％Eu3+样品的无定型相比未掺杂的YAG多。因此，看似额外的条带的强度和非晶相的含量之间存在相关性。这使得我们可以将这些额外条带与TEM照片中观察到的无定形相对应起来。现在让我们来讨论在无定形相中的可能存在的化合物。以往的研究表明，其中可能会出现YAG相、亚稳六角YAlO3或Y4Al2O9相。此外，由于在我们的情况下YAG结晶是由前体制备的，因为与NaOH反应，其可能包含非常细小或低结晶的Y（OH）3和Al（OH）3，由于这些氢氧化物的热分解，其它杂质相如AlOOH，YOOH，Y2O3和Al2O3可能会出现。根据文献资料，h-YAlO3在190cm-1和460cm-1具有特征性拉曼光谱，Y2O3在381cm-1具有非常强的拉曼带。

2.3.4 IR光谱

Fig.6和7为YAG和YAG：Eu3+样品的IR图谱。350℃共沉淀/熔融盐法制备的YAG样品的光谱带在167，215，293，326，371，395，479，510，536，693，724和789cm-1 。500℃制备的样品红外光谱与其相似但峰较窄。变化的红外带宽也表明，在较高温度下烧制提高了样品的结晶度，此外，通过结合共沉淀/熔盐，制备的样品取得了较好的结晶。

2.3.5 发射光谱

Fig.8和9为由226nmUV光激发下的发光光谱。由Eu3+的5D0,1→7FJ

（J=1,2,3,4,5）发射线照射。发射光谱中420-500nm的发射峰是Eu3+的4f65d1→4f7的跃迁。750-800nm是Fe3+的杂质峰，可能是反应物Al(NO3)3·9H2O中的杂质。

57最强的发射峰在709.6nm处，是D0→F4的电偶极跃迁，许多掺杂Eu3+的材料都

有非常高的5D0→7F4跃迁。

5D0→7F2跃迁是因Eu3+在不定性相中使晶格发生扭曲而失去镜面对称性造成的。非对称率AR由此式算出：AR=I(5D0→7F2)/I(5D0→7F1)。由比较可知，随着温度升高，结晶化程度变高，非对称率大大降低。理想的YAG结构是D2点对称。Eu3+代替Y3+之后应该依旧是D2点对称。当Eu3+的位置是反演中心时，5D0→7F2的电偶极跃迁会被抑制，只有5D0→7F1的磁偶极跃迁发生。本图中5D0→7F2跃迁

【第三篇】感悟生命l5o字

用3种方法合成Y3Al5O12：RE^3+(RE=Eu,Dy)发光粉的对比研究

【第四篇】感悟生命l5o字

(Y1-XTbX)3Al5O12 完全固溶体合成、结构及其发光特性 …

(Y1-XTbX)3Al5O12 完全固溶體合成、結構及其發光特性之研究

Synthesis, Structure and Photoluminescence of (Y1-XTbX)3Al5O12 Complete Solid Solution

李玄閔1 ■ 陳威宇1 ■ 吳佳穎1 ■ 黃啟原2

H.M. Lee 1 W.Y. Chen 1 J.Y. Wu 1 C.Y. Huang 2

國立成功大學資源工程學系 1 研究生 2 教授

本實驗利用固態反應法合成不同含量Tb3+離子摻雜的YAG-TAG螢光粉體，對合成過程所帶來結構與螢光性質改變做相關研究。由SEM顯示，可看到隨著Tb3+含量增加，晶型愈完整、顆粒愈大與結晶度愈高，經過第二階段煅燒(1600℃/4 h)後，純 TAG粉體平均顆粒尺寸已達5 μm左右；拉曼光譜數據中，不論低頻或高頻區之波模皆有往低波數(頻率)偏移之趨勢，此足以證實因為Y3+與Tb3+之鍵結差異；隨Tb3+含量愈多，Tb3+之特徵吸收峰強度有變強之趨勢，但是因為伴隨濃度淬滅與主體轉換之效應，因此基本上Tb3+量愈多，YAG:Tb發光強度愈低；且由間接計算發生濃度淬滅時Tb3+間距也證實此效應存在之正當性。

關鍵詞： YAG-TAG 完全固溶體、濃度淬滅、主體轉換

This research used a solid-state reaction method to synthesize YAG-TAG phosphors doped with varying amount of Tb3+. This study focused on analyzing the effect of Tb3+ doping on the structure and photoluminescence of the YAG-TAG phosphors. SEM micrographs showed that as the Tb3+ content increases, the phosphors grains have more homogeneous morphology, larger grain size and higher crystallinity. After the second calcination at 1600℃ /4 h, the average grain diameter of pure TAG phosphor is 5 μm. Raman spectra showed that the wave mode shifts to lower wave-number region regardless their frequencies. It is resulted from bonding difference between Y3+ and Tb3+. This absorbance results implied that the absorption intensity of Tb3+ characteristic peak increases with

increasing Tb3+ doping. On the other hand, the YAG:Tb emission intensity decreases with increased Tb3+ doping due to concentration quenching and host transition effects. The indirect estimate of Tb3+ special distances during concentration quenching also affirms the Tb3+ doping effect.

Key words: YAG -TAG complete solid solution , Concentration quenching, Host transition

壹、前言

世界能源危機意識逐漸提升，各國均投入大量人力研發新穎之照明設備，而發展具省電、低污染、發熱量低、反應速度快與壽命長等優點之發光二極體 (light emitting diode；LED) 作為光源，已是現代照明之發展趨勢。自 1996 年，日本日亞化學公司 (Nichia) 以藍光晶片 (InGaN) 激發鈰摻雜之釔鋁石榴石 (cerium doped yttrium aluminum garnet；Ce：YAG)之黃色螢光粉而研發白光發光二極體，造就人類照明之一大躍進，亦觸發 LED 邁入照明應用之門檻。

為取得理想照明光源，除 LED 本身亮度外，所選用螢光體亦為影響光源總體發光效率感悟生命l5o字

(luminescence efficiency) 之關鍵因素，而 YAG:Ce 是在 1967 年開始發展(1)，除此之外，鋱釔鋁石榴石 (YAG:Tb) 也廣闊運用於雷射 (laser) 及螢光材料兩大領域中(2-5)。於 YAG中添加 Tb 離子並取代 Y 離子來改善傳統 YAG 螢光粉，Tb3+ 除了作為激活劑 (activator) 外，更進一步取代可形成鋱-釔鋁石榴石之主體晶格 (host)，進而改變發光中心之發射光譜特性，甚至出現鋱鋁石榴石 (terbium aluminum garnet, Tb3Al5O12; TAG) 為主體之螢光粉體(6-8)，此 TAG 比起 YAG 就現在工業上發展石榴石螢光粉而言，TAG 是比較具有優勢與競爭性的，縱使 TAG 成本上比起 YAG是較高的。

以 TAG 為主體材料之螢光粉體為近年開始被大家所重視，工業上以德國歐司朗 (Osram)為主來

避開以 YAG 為主之日亞的束縛，又 TAG 螢光粉能補足 YAG 較欠缺之暖色系、紅色發光、低色溫與高演色性等光學性質，主要是因為 TAG 與 YAG 均屬同一結構 (garnet) 與同一對稱性 (cubic) 之螢光粉，且能以完全固態溶液 (complete solid-solution) 方式存在，所以光學特性上比較接近也比起其他結構之螢光粉更能相互搭配補足特定用處。

本次實驗重點主要是用固態反應法 (solid-state reaction) 合成不同含量的Tb3+離子摻雜在YAG 裡 (Tb3+ = 0, 5, 25, 50, 75, 100 at%)，研究螢光粉之合成、結構與螢光特性之關係。

貳、實驗流程

將烘乾後的氧化釔及氧化鋱粉末依照不同

計量混合，並以 pH=13 的氫氧化鈉及去離

子水搭配電磁攪拌調配成固含量約 26感悟生命l5o字

wt%、pH=11 的漿料之後，球磨 36 小時

做外型修飾 (morphology modification)。球

磨後之漿料，以相同調配方式加入所需計量

比之θ-Al2O3 粉末，一樣用氫氧化鈉及去

離子水調配成固含量約 20 wt%、pH=11 的

漿料，再以球磨方式混合8小時。之後將漿

料擠至玻璃皿上，置入微波爐中加熱約 20

分鐘做微波乾燥 (microwave drying)，之後

取出乾燥後的粉末加以研磨，並以 200

mesh 的篩網過篩。再將粉體置入高溫爐，

第一階段以常壓1550℃/36 h 為熱處理條

件來進行煅燒，之後將粉末取出並研磨 10

分鐘，再以第二階段常壓1600℃/4 h之熱

處理條件進行煅燒，最後針對所合成之螢光

粉末進行 XRD (X-ray diffractometer) 分

析、SEM (scanning electron microscope) 微

結構觀察與拉曼 (Raman) 光譜分析，以及光學性質吸收光譜與PL發光光譜的量測。實驗流程如 Fig. 1 所示。

參、結果與討論

Fig. 2(a)(b) 分別為garnet螢光粉體 1st calcination 及 2nd calcination 後之 XRD 繞射圖譜。由圖可知，在第一階段熱處理後，Tb3+ 含量 0、5、100 at% 之螢光粉皆為純 YAG (或TAG) 相(YAG:#01-070-7794, TAG:#01-076-0111)，但 Tb3+ 含量25、50、75 at%之螢光粉在約 2θ=34 時有微量 YAP yttrium aluminum perovskite (或 TAP terbium aluminum perovskite) 生成

(YAP:#01-089-7947, TAP:#01-088-0154)，是由於反應未完全所導致。故將第一階段熱處理後之粉末研磨 10 分鐘後進行第二階段熱處理，P(perovskite) 相才消失。之所以有P相殘留，推測是由於 Tb3+ 與Y3+ 互相擴散並取代同一位置 (八配位)，且 Tb3+(1.04 Å) 與 Y3+(1.02 Å) 之離子半徑又不相同，擴散速度不同，因此不易反應完全。相較之下，純 YAG 與純 TAG 裡，Y3+(Tb3+) 與Al3+ 也會互相擴散，但取代不同位置，所以比較沒有殘留 P 相的問題。

另外，本圖中可發現當 Tb3+含量愈多時，其繞射峰有愈向左偏移的趨勢，是由於 Tb3+

離子較

Y3+ 離子大，根據布拉格定律 (式1) ，其中 d 為兩鄰近平行結晶面的距離，θ為入射光與平面的夾角，λ為 X 光源的波長，n 為任意整數。故在取代後由於晶格距離 d 變大，所以θ變小。

晶格常數方面，由Fig. 3可以看到，隨著 Tb3+

含量增加，晶格常數也明顯變大，也是由於

Tb3+ 的離子半徑大於 Y3+ 的離子半徑，因此

Tb3+ 進入晶格內會使得晶格變大。

Fig. 4 為 YAGTAG螢光粉體之 SEM外貌，

由此圖明顯發現，Tb3+ 添加量愈多，粉體型

態較佳，即晶型完整、顆粒較大且結晶度較

高，純 YAG 顆粒尺寸約 1 μm，且呈現局

部鏈狀成長，Tb3+ 添加量達 5 at%，顆粒尺寸約達 2 μm，當達純 TAG 時平均顆粒尺寸約達 5 μm，且 Tb3+ 添加量達 25 at% 後，顆粒表面沾附手磨 (研缽與磨杵) 後小碎粒。Tb3+ 含量少時，粉末顆粒愈不完整，顆粒較小，推測是因為在 TAG 系統中，Al3+ 較容易擴散入 Tb4O7 中，而使TAG顆粒可以長得更

大，可能是 Tb3+ 與 Y3+ 之

差異；另外原因可能是因為

Tb3+ 含量愈多，Tb4+出現之

機率增加，而造成為了價數

平衡而出現 Y3+ (or Tb3+)

之空缺，因而原子容易擴

散。

Fig. 5 為 YAG-TAG 螢光

粉體利用光源為 514 nm

之拉曼光譜儀量測系統各波

模之震盪模式，Table 1 為各

波模之數值，在此光源下不

會對 Tb3+ 有激發作用，Tb3+ 添加量為 75

at% 時，因為數據有些問題，所以先不列

入考慮。因為 Tb3+ 半徑較 Y3+ 大，所以

在取代後，garnet 十二面體中會因為由

Y-O 鍵結轉換成 Tb-O 鍵結，因此此多面

體鍵長會增加；又 Tb 原子量 (158.9)比起

Y 原子量 (88.9) 還重。隨著 Tb3+ 添加量

增加，在各區段波模之波數 (即頻率) 基本

上均呈現降低之趨勢，在低頻的部份為外

部晶格震動模式 (external lattice

vibrational mode)，是因為 Tb3+ 質量較

Y3+ 質量重，所以 Tb3+ 進入晶格內後使得十

二面體團變重，震盪變弱而向低頻率偏移；

而在高頻的部份則為內部伸縮震動模式

(internal stretching mode)，主要因為離子半徑

的不同，進入晶格內後使得十二面體團結構

變大，相對來說鍵長變長且鍵強變弱，原子

間的力常數下降，使得震盪頻率下降也往低

頻方向偏移，此些高頻的 Raman 波模式可視

為 Y3+ 或 Tb3+ 對於以Al3+ 為中心的四面

體或八面體的內在伸縮震動波模式。另外某

些波模式隨著 Tb3+ 添加量增加而消失或出

現，可能也代表 Y-O 與 Tb-O 鍵結之改變，

由此 Raman 光譜結果可以發現，YAG 與

TAG 之特徵峰強度均較弱，Tb3+ 添加 5, 25,

50 at% 時，約在Raman shift 為 900 ~ 1800

cm-1 時，在25 at% 時此區段強度最強然後

在 50at% 時又下降，且到 TAG 時基本上已

不復見，基本上此強度變化是受到螢光效應

所致，在 Raman shift小於 900cm-1，基本上

此些特徵峰強度隨 Tb3+添加量增加而降

低，因為取代發生必定伴隨結構產生一定應力

與應變，可能使結構產生扭曲化，而帶來類似

此類結構無序有序化轉變。整體波模式變化很

小主因是取代前後系統均維持garnet 結構且

對稱性也沒改變所致。

Fig. 6 為 YAG-TAG 螢光粉體之吸收光譜圖，在

Tb3+ 低添加量時 (<25at%)，基本上以波長約為

275 nm 為分水嶺，低波長處屬於 YAG 主體晶格

電子躍遷、電荷轉移與 Tb3+ (4f-5d)直接吸收帶

(當然純 YAG 不會有 Tb3+放光機制存在)；高波

長處屬於 Tb3+(4f-5d) 直接吸收帶。在 Tb3+ 高添

加量時 (>25 at.%)，以波長約 315 nm 為分水嶺，

低波長或高波長 Tb3+ 放光機制與 Tb3+ 低添加

量時類似，只是相對波長位置有些微的不同罷

了，如在低波長區，在 YAG 時主要特徵峰位置感悟生命l5o字

為 220 與 270 nm，且吸收峰段比較狹窄，但是

Tb3+ 慢慢加入且朝向 TAG 時，此波段特徵峰位

置寬化了，造成 <240 nm 與 270 ~ 300nm 兩處

吸收帶；在高波長區，當 Tb3+ 添加量變多，Tb3+

之 4f-5d 離子直接吸收帶也明顯增強了吸收強

度，但是此些特徵峰位置並無偏移，此現象也可

歸咎於 Tb3+ 本身之電子組態與躍遷機率之選擇

率，因為 Tb3+ 屬於內層 f-f 放光模式躍遷，外層

f-d 是被禁止的 (forbidden)，又因為f-f 內層躍遷

所以受到外層主體晶格分裂效應之機率很小，所

以放光波長就不太會有偏移現象。

另外發現 TAG 在非 Tb3+ 特徵峰位置吸收強度

往高能處 (低波長) 有變強趨勢，在此推測因為當

TAG 主體慢慢變多時，為此 TAG 材料本身吸收

所致且與產生部分 Tb4+ 有關，因為 Tb4+ 會造成系統額外的吸收。最後選擇 270 nm 為本 YAG-TAG 螢光粉體激發 Tb3+ 之激發波長，此激發模式是利用電荷轉移與 Tb3+ 直接吸收來放光。

Fig. 7 為此 YAG-TAG 系統之發光光譜，在 Tb3+ 添加量為 5 at% 時，由高能 5D3 至 7FJ 之放光已消失，推測可能是因與由 5D4 至 7FJ 放光強度相較下較低，所以觀察不太到，整體發光強度於 Tb3+ 添加量達 5 at% 時最高，之後開始衰退，當 Tb3+ 達到 75 at% 時，基本上只剩下在 540nm 處之倍頻效應而放光，而 Tb3+ 放光已慢慢消失。

此當 Tb3+ 添加量 ≧25 at.% 比 5at.% 時發光強度較低，有兩個原因所致：第一即為濃度淬滅效應，依據 (式2) 可以瞭解，當活化物添加量增加時，活化物彼此間距會降低，因此會增加激發能量傳遞機率，待能量傳遞經過主體缺陷或毒劑處，就會由此釋放能量而使發光強度降低。Fig. 8 即為利用 (式2) 所計算出假設發生濃度淬滅時 Tb3+ 間距，且計算 Y3+ 間距來與 Tb3+ 間距對照用，由此圖可以發現，當 Tb3+ 添加量為 5 at% 時，Tb3+ 平均間距為 26.4 Å，當添加量達25 at% 時，平均間距已降為 9.0 Å，已經低於此時晶格參數值了 (12.023Å)，因此推測濃度淬滅效應在此影響已經非常嚴重了，添加量 25 at% 比添加量 5 at% 時發光強度低的原因可能是因為發光強度最高之添加量不在5 at%，而是在介於 5 ~ 25 at% 間，在25 at% 時已經發現強度衰退了。當為完全的 TAG 時，Tb3+ 間距已達最近距離 3.6 Å，此距離已是稍微大於十二面體中 Tb-O 平均鍵長 (2.437 Å)，所以濃度淬滅效應強烈幾乎使 TAG 中Tb3+ 不再放光。而 Y-Y 平均距離即隨著 Tb3+ 量添加而變長，在 Tb3+ 量添加 50 at% (Y3+ 量也是 50 at.%) 時 Y-Y與 Tb-Tb 距離相等。

【第五篇】感悟生命l5o字

Micron_16gb_nand_mlc_l52a

Micron Confidential and Proprietary

Advance‡

16, 32, 64Gb NAND Flash Memory

Features

NAND Flash Memory

MT29F16G08MAA, MT29F32G08QAA, MT29F64G08TAA

Features

•Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 compliant•Multilevel cell (MLC) technology•Organization

–Page size: x8: 4,314 bytes (4,096 + 218 bytes)–Block size:128 pages (512K + 27K bytes)

–Plane size: 2,048 blocks

–Device size: 16Gb: 4,096 blocks; 32Gb: 8,192

blocks; 64Gb: 16,384 blocks•READperformance–Random READ: 50µs–Sequential READ: 20ns•WRITEperformance

–PROGRAM PAGE: 900µs (TYP)–BLOCK ERASE: 2ms (TYP)•Endurance

–10,000 PROGRAM/ERASE cycles (8-bit ECC1)•Data retention: 10 years

•First block (block address 00h) guaranteed to be valid when shipped from factory1

•Industry-standard basic NAND Flash command set•Advanced command set

–PROGRAM PAGE CACHE MODE–PAGE READ CACHE MODE

–One-time programmable (OTP) commands–Two-plane commands–Interleaved die operations

–READ UNIQUE ID (contact factory)

•Operation status byte provides a software method of detecting:

–Operation completion–Pass/fail condition–Write-protect status

•Ready/busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting PROGRAM or ERASE cycle completion

•WP# signal: entire device hardware write protect•RESET required after power-up

•INTERNAL DATA MOVE operations supported within the plane from which data is read

Figure 1:

48-Pin TSOP Type 1

Options

•Density2–

–16Gb, 32Gb, 64Gb•Device width: x8•Configuration:

# of die# of CE## of R/B#I/O111Common222Common422Common

•VCC: 2.7–3.6V

•Package: 48 TSOP type I (lead-free plating)•Operating temperature:

–Commercial temperature (0°C to 70°C)–Extended temperature (–40°C to +85°C)Notes:1.For details, see “Error Management” on

page84.

2.For part numbering and markings, see Figure2 on page2.

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Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

‡Products and specifications discussed herein are for evaluation and reference purposes only and are subject to change by Micron without notice. Products are only warranted by Micron to meet Micron’s production data sheet specifications.

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Part Numbering Information

Micron NAND Flash devices are available in several different configurations and densi-ties (see Figure2).

Figure 2:

Part Number Chart

Valid Part Number Combinations

After building the part number from the part numbering chart, verify that the part number is offered and valid by using the Micron Parametric Part Search Web site at

/products/parametric. If the device required is not on this list, contact

the factory.

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Table of Contents

Features. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1Part Numbering Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2Valid Part Number Combinations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8Architecture . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11Addressing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11Memory Mapping . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12Array Organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13Bus Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15Control Signals . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15Address Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16READ Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16Ready/Busy# . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16Command Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20READ Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22PAGE READ 00h-30h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22RANDOM DATA READ 05h-E0h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23READ ID 90h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23READ PARAMETER PAGE ECh. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25READ STATUS 70h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31PAGE READ CACHE MODE Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32PAGE READ CACHE MODE SEQUENTIAL 31h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33PAGE READ CACHE MODE RANDOM 00h-31h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33PAGE READ CACHE MODE LAST 3Fh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33PROGRAM Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35PROGRAM PAGE 80h-10h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35SERIAL DATA INPUT 80h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35RANDOM DATA INPUT 85h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35PROGRAM PAGE CACHE MODE 80h-15h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36Internal Data Move . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37READ FOR INTERNAL DATA MOVE 00h-35h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37PROGRAM for INTERNAL DATA MOVE 85h-10h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38BLOCK ERASE Operation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40BLOCK ERASE 60h-D0h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40One-Time Programmable (OTP) Area. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41OTP DATA PROGRAM A0h-10h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41OTP DATA PROTECT A5h-10h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44OTP DATA READ AFh-30h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45Features Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47GET FEATURES EEh. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47SET FEATURES EFh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50TWO-PLANE Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51Two-Plane Addressing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51TWO-PLANE PAGE READ 00h-00h-30h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51TWO-PLANE RANDOM DATA READ 06h-E0h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52TWO-PLANE PROGRAM PAGE 80h-11h-80h-10h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55TWO-PLANE PROGRAM PAGE CACHE MODE 80h-11h-80h-15h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56TWO-PLANE INTERNAL DATA MOVE 00h-00h-35h/85h-11h-85h-10h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58TWO-PLANE READ for INTERNAL DATA MOVE 00h-00h-35h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

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TWO-PLANE PROGRAM for INTERNAL DATA MOVE 85h-11h-85h-10h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59TWO-PLANE BLOCK ERASE 60h-D1h-60h-D0h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62TWO-PLANE/MULTIPLE-DIE READ STATUS 78h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64Interleaved Die Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65Interleaved PAGE READ Operations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65Interleaved TWO-PLANE PAGE READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67Interleaved PROGRAM PAGE Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69Interleaved PROGRAM PAGE CACHE MODE Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69Interleaved TWO-PLANE PROGRAM PAGE Operation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70Interleaved TWO-PLANE PROGRAM PAGE CACHE MODE Operations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70Interleaved READ for INTERNAL DATA MOVE Operations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70Interleaved TWO-PLANE READ for INTERNAL DATA MOVE Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70Interleaved PROGRAM for INTERNAL DATA MOVE Operations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75Interleaved TWO-PLANE PROGRAM for INTERNAL DATA MOVE Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75Interleaved BLOCK ERASE Operations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77Interleaved TWO-PLANE BLOCK ERASE Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78RESET Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79RESET FFh. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79WRITE PROTECT Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81Error Management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84Electrical Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85VCC Power Cycling . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85Timing Diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91TSOP Package Information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .106

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16, 32, 64Gb NAND Flash Memory

List of Figures

Figure 1:Figure 2:Figure 3:Figure 4:Figure 5:Figure 6:Figure 7:Figure 8:Figure 9:Figure 10:Figure 11:Figure 12:Figure 13:Figure 14:Figure 15:Figure 16:Figure 17:Figure 18:Figure 19:Figure 20:Figure 21:Figure 22:Figure 23:Figure 24:Figure 25:Figure 26:Figure 27:Figure 28:Figure 29:Figure 30:Figure 31:Figure 32:Figure 33:Figure 34:Figure 35:Figure 36:Figure 37:Figure 38:Figure 39:Figure 40:Figure 41:Figure 42:Figure 43:Figure 44:Figure 45:Figure 46:Figure 47:Figure 48:Figure 49:Figure 50:Figure 51:Figure 52:Figure 53:Figure 54:Figure 55:Figure 56:

48-Pin TSOP Type 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1Part Number Chart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2Pin Assignment (Top View) 48-Pin TSOP Type 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9NAND Flash Functional Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11Memory Map (x8) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12Array Organization for 16Gb and 32Gb x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13Array Organization for 64Gb x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14Time Constants . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17READY/BUSY# Open Drain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17tFall and tRise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18Iol vs. Rp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18TC vs. Rp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18PAGE READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22RANDOM DATA READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23READ ID Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23READ PARAMETER PAGE (ECh) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25Status Register Operation for READ STATUS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32PAGE READ CACHE MODE Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34PROGRAM and READ STATUS Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35RANDOM DATA INPUT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36PROGRAM PAGE CACHE MODE Example . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37INTERNAL DATA MOVE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39INTERNAL DATA MOVE with Optional Data Output and RANDOM DATA Input . . . . . . . . . . . . . . . . . 39BLOCK ERASE Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40OTP DATA PROGRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42OTP PROGRAM with RANDOM DATA INPUT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43OTP DATA PROTECT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44OTP DATA READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45OTP DATA READ with RANDOM DATA READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46GET FEATURES Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49SET FEATURES Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50TWO-PLANE PAGE READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53TWO-PLANE PAGE READ with RANDOM DATA READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54TWO-PLANE PROGRAM PAGE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56TWO-PLANE PROGRAM PAGE with RANDOM DATA INPUT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56TWO-PLANE PROGRAM PAGE CACHE MODE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58TWO-PLANE INTERNAL DATA MOVE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60TWO-PLANE INTERNAL DATA MOVE with TWO-PLANE RANDOM DATA READ . . . . . . . . . . . . . . . . 61TWO-PLANE INTERNAL DATA MOVE with RANDOM DATA INPUT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62TWO-PLANE BLOCK ERASE Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63TWO-PLANE/MULTIPLE-DIE READ STATUS Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64Interleaved PAGE READ with Status Register Monitoring . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66Interleaved TWO-PLANE PAGE READ with Status Register Monitoring . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68Interleaved PROGRAM PAGE with Status Register Monitoring . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69Interleaved PROGRAM PAGE CACHE MODE with Status Register Monitoring . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69Interleaved TWO-PLANE PROGRAM PAGE with Status Register Monitoring . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71Interleaved TWO-PLANE PROGRAM PAGE CACHE MODE with Status Register Monitoring . . . . . . . 72Interleaved READ for INTERNAL DATA MOVE with Status Register Monitoring . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73Interleaved TWO-PLANE READ for INTERNAL DATA MOVE with Status Register Monitoring . . . . . 74Interleaved PROGRAM for INTERNAL DATA MOVE with Status Register Monitoring . . . . . . . . . . . . . 75Interleaved TWO-PLANE PROGRAM for INTERNAL DATA MOVE with Status Register Monitoring . 76Interleaved BLOCK ERASE with Status Register Monitoring . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77Interleaved TWO-PLANE BLOCK ERASE with Status Register Monitoring . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78RESET Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80ERASE Enable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81ERASE Disable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81

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【第六篇】感悟生命l5o字

plc课程设计

【第七篇】感悟生命l5o字

Comparison of Y3Al5O12Ce0.05 phosphor coating methods for white-light-emitting diode on gallium nitr

60Solid State Lighting and Displays, Ian T. Ferguson, Yoon-Soo Park, Nadarajah Narendran,Steven P. DenBaars, Editors, Proceedings of SPIE Vol. 4445 (2001)

Proc. SPIE Vol. 444561

62Proc. SPIE Vol. 4445

Proc. SPIE Vol. 444563

64Proc. SPIE Vol. 4445

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